双向可控硅的伏安特性曲线，将此图与单向可控硅特性曲线比较，可看出双向可控硅的特性曲线与单向可控硅类似，只是双向可控硅正负电压均能导通，所以第三象限曲线与第一象限曲线类似，故双向可控硅可视为两个单向可控硅反相并联，双向可控硅的A、一A的击穿电压也不同，即可看出正负半周的电压皆可以使双向可控硅导通。一般使双向可控硅截止的方法与单向可控硅相同，即设法降低两阳极间的

　　双向可控硅的相位控制与单向可控硅很类似，但因双向可控硅能双向导通，在正负半周均能触发，可作为全波功率控制之用。因此双向可控硅除具有单向可控硅的优点，更方便交流功率控制。右图(a)为双向可控硅相位控制电路

　　电子技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在交流电的正、负半周，从规定时刻(通常为零值)，开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角αz晶闸管导通期间所对应的电角度叫导通角0。在右图(a)中，适当调整触发电路的RC时间常数即可改变它的控制角。右图(b)(c)分别是控制角为30°和导通：角150°时的UAi-z及负载的电压波形。一般双向可控硅所能控制的负载远比单向可控硅小，大体上而言约在600 V，40A以下。

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　　阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件 单向

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